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[電腦資訊] 三星完成史上第一條DDR4記憶體

三星完成史上第一條DDR4記憶體

三星電子今天宣佈,已經完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規格記憶體條的開發,並採用30nm級工藝製造了首批樣品。
時至今日,DDR4記憶體的標準規範仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM類型,容量為2GB,運行電壓只有1.2V,工作頻率為2133MHz,而且憑藉新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下,DDR3記憶體的標準頻率最高僅為1600MHz,運行電壓一般為1.5V,節能版也有1.35V。僅此一點,DDR4記憶體就可以節能最多40%。
根據此前的規劃,DDR4記憶體頻率最高有可能高達4266MHz,電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示,這條DDR4記憶體使用了曾出現在高端顯存顆粒上的“Pseudo Open Drain”(虛擬開漏極)技術,在讀取、寫入資料的時候漏電率只有DDR3記憶體的一半。
三星稱,上月底已經向一家控制器製造商提供了這種DDR4記憶體條的樣品進行測試,並計畫與多家記憶體廠商密切合作,幫助JEDEC組織在今年下半年完成DDR4標準規範的制定工作,預計2012年開始投入商用。
回顧歷史,三星曾於1997年、2001年、2005年三次分別率先造出第一條DDR、DDR2、DDR3記憶體條,如今又在DDR4上繼續保持了領先地位。

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