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三星完成史上第一條DDR4記憶體
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作者:
SV
時間:
2011-1-4 20:31
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三星完成史上第一條DDR4記憶體
三星電子今天宣佈,已經完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規格記憶體條的開發,並採用30nm級工藝製造了首批樣品。
時至今日,DDR4記憶體的標準規範仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM類型,容量為2GB,運行電壓只有1.2V,工作頻率為2133MHz,而且憑藉新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下,DDR3記憶體的標準頻率最高僅為1600MHz,運行電壓一般為1.5V,節能版也有1.35V。僅此一點,DDR4記憶體就可以節能最多40%。
根據此前的規劃,DDR4記憶體頻率最高有可能高達4266MHz,電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示,這條DDR4記憶體使用了曾出現在高端顯存顆粒上的“Pseudo Open Drain”(虛擬開漏極)技術,在讀取、寫入資料的時候漏電率只有DDR3記憶體的一半。
三星稱,上月底已經向一家控制器製造商提供了這種DDR4記憶體條的樣品進行測試,並計畫與多家記憶體廠商密切合作,幫助JEDEC組織在今年下半年完成DDR4標準規範的制定工作,預計2012年開始投入商用。
回顧歷史,三星曾於1997年、2001年、2005年三次分別率先造出第一條DDR、DDR2、DDR3記憶體條,如今又在DDR4上繼續保持了領先地位。
三星完成史上第一條DDR4記憶體1.jpg
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2011-1-4 20:31
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作者:
fanfan1992
時間:
2011-1-4 21:26
標題:
速度至上
速度至上!!
作者:
qqcup
時間:
2011-1-4 23:22
18个月就翻一翻
作者:
slash
時間:
2011-1-6 00:30
设计总线不变,再什么内存都不行
作者:
palermolik
時間:
2011-1-8 20:15
显卡都DDR5了
作者:
jobkev
時間:
2011-1-9 09:48
现在电子都只有三星了!!!!!!
作者:
wq11217
時間:
2011-1-25 07:21
真有速度啊
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